随着AI、HPC技术的快速发展，先进封装已成为半导体产业竞争的关键领域，国内封装测试企业（OSAT）正通过设立新公司、发行可转债等方式，大举扩充先进封装产能。

国内封测企业密集布局：资本涌入先进封装赛道

国内封测头部企业正以前所未有的速度，将资本与战略聚焦于先进封装，以期在行业新一轮的增长周期中占据主导地位。

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华天科技：重金押注南京，先进封装加速发展

华天科技在先进封装领域的战略布局正在加速。继2024年3月南京基地启动二期建设后，公司于今年8月1日发布公告，拟以20亿元的巨额注册资本成立南京华天先进封装有限公司（以下简称“华天先进”）。

新公司明确主营2.5D/3D等先进封装测试业务，显示出公司抢占高端市场的决心。此举旨在进一步加大2.5D/3D等先进封测业务领域的投入，加快推动先进封装业务的发展，扩大先进封测产业规模和市场份额，增强公司整体竞争能力。

从华天先进股权来看，华天科技全资子公司华天江苏认缴出资10亿元，占比50%；全资子公司华天昆山认缴出资6.65亿元，占比33.25%；全资下属合伙企业华天先进壹号认缴出资3.35亿元，占比16.75%。

2025年一季度，华天科技归属于母公司股东的净利润为-1853万元，较上年同期的5703万元大幅下降；扣非净利润为-8286万元。公司在业绩说明会上曾表示，随着各先进封装基地的投产和建设，公司先进封装占比将逐年提高。

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通富微电：借力 AMD，抢占先进封装新高地

通富微电与AMD的深度合作关系，使其在AI和HPC领域的先进封装布局具有独特的优势。据悉，通富微电与AMD的合作始于2016年，通过收购AMD苏州和槟城工厂各85%的股权，形成了“合资+合作”模式。这种合作确保了通富微电稳定的订单来源，并通过共同研发和技术共享，推动了半导体封装技术的进步。目前，AMD约占通富微电收入的70%，是其最大客户。

该公司于今年6月发布公告，拟发行可转债募集资金不超过12亿元，用于多维异构先进封装技术研发及产业化项目。其技术方向与市场前沿高度吻合，包括2.5D/3D封装、Chiplet集成等。

值得注意的是，在玻璃基板（TGV）的先进芯片封装技术方面，通富微电取得了重要进展。根据公司2025年4月披露的2024年度报告，公司基于玻璃基板（TGV）的先进芯片封装技术已成功通过阶段性可靠性测试。

财报方面，通富微电2025年第一季度财报显示，公司营业收入为60.92亿元，同比增长15.34%。净利润为1.01亿元，同比增长2.94%。

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长电科技：业绩强势增长，先进封装布局加速

2025年第一季度，长电科技实现营业总收入93.35亿元，同比增长36.44%，创历史同期新高。归属于上市公司股东的净利润为2.03亿元，同比增长50.39%。归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.93亿元，同比增长79.26%。

长电科技在先进封装领域持续保持领先地位，特别是在2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、扇出型封装（Fan-out）等技术上取得了显著进展。今年1月，该公司表示，计划固定资产投资85亿元，主要用于扩大先进技术产能。此外，长电科技自主研发的XDFOI Chiplet高密度多维异构集成系列工艺，已按计划实现稳定量产，并成功应用于高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等多个前沿领域。

据悉，长电科技在汽车电子领域也取得了快速增长。其位于上海临港新片区的汽车电子生产工厂预计于2025年下半年正式通线，届时将逐步释放产能，进一步提升公司在汽车电子领域的市场竞争力。

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甬矽电子：募资加码，冲刺先进封装第一梯队

甬矽电子作为国内封装测试行业的新锐力量，正在通过积极的资本运作，加速其在先进封装领域的布局。今年7月，甬矽电子发布可转换公司债券上市公告书，募集资金用于进一步布局2.5D/3D封装、扇出型封装（Fan-out）和Chiplet技术等先进封装项目。目前，该公司正在积极建设二期厂房，项目总投资达111亿元。

在财务方面，甬矽电子2025年第一季度财报显示，公司实现营业收入9.45亿元，同比增长30.12%。归属于上市公司股东的净利润为2460万元，同比扭亏为盈。此外，公司经营活动产生的现金流量净额为3.77亿元，同比增长87.64%。

AI芯片驱动封装技术革新：异构互连与散热方案的深度演进

AI芯片的爆发式增长，不仅对封装技术提出了更高的要求，更驱动了封装技术从传统保护功能向系统性能集成的核心角色转变，催生了多项技术的突破和新趋势。

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Chiplet异构集成：从单一芯片到多模块互联

AI芯片的复杂性使得单片集成难度和成本都极高，由此推动了Chiplet技术的发展，它将复杂的AI芯片分解成多个功能模块（如计算核心、高带宽内存HBM、I/O等），然后通过先进封装技术将其集成在一起。

这种异构集成模式能够显著提高芯片设计的灵活性，降低研发成本，并加速产品上市时间，已成为AI芯片的主流设计范式。目前包括AMD、英特尔和NVIDIA等巨头均已在其最新产品中广泛应用该技术。

据悉，当下Chiplet技术已从“概念验证”阶段全面迈入“规模商用”阶段，成为AI芯片设计的事实标准。随着UCIe（通用芯粒互连Express）联盟的成立与壮大，一场由芯片巨头主导的“生态统一战”也即将打响。英特尔、台积电、三星、AMD、Arm、高通等几乎所有核心玩家都已加入，旨在建立一个开放、标准化的Chiplet互连生态系统，推动Chiplet技术的广泛应用。

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2.5D/3D封装：从平面互连到垂直堆叠

为了实现Chiplet的高效互连，2.5D/3D封装技术也正在加速发展。其中，台积电的CoWoS和英特尔的Foveros等技术实现了将多个芯片并排或垂直堆叠，通过硅中介层（Silicon Interposer）和硅通孔（TSV）等技术实现高密度互连。这种封装模式极大地缩短了芯片间的数据传输距离，显著提升了AI芯片的计算性能和数据传输效率，是实现Chiplet集成的关键技术底座。

市场端，AI芯片巨头NVIDIA的GPU对CoWoS封装的需求呈指数级增长，直接导致台积电的CoWoS产能严重供不应求。为了应对这一局面，台积电正以前所未有的速度扩建新厂，并计划在云林县虎尾园区等地加大投资。

与此同时，竞争者也在加速追赶。三星正积极推广其I-Cube和X-Cube封装方案，而英特尔则凭借其IDM模式的优势，通过EMIB和Foveros技术在自家AI加速器和CPU上实现了高效的异构集成。

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散热方案的突破：从风冷到高效液冷

AI芯片的功耗激增已成为性能提升的一大瓶颈。传统的风冷散热已无法满足要求。液冷散热等高效散热方案逐渐从数据中心走向芯片封装层面，成为AI芯片封装的关键技术趋势。

例如，将液冷微通道直接集成到封装基板中，可以实现更高效的热量传导。此外，玻璃基板（Glass Core Substrate）作为下一代先进封装的重要材料，凭借其更优异的热导性能，也正受到业界的高度关注，英特尔和三星等公司正在积极推动其商业化。

而在数据中心层面，液冷散热已从“前沿技术”迅速转变为“行业标配”，以浪潮、超聚变等为代表的服务器厂商正大规模部署液冷解决方案。

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共同封装光学（CPO）：数据传输瓶颈的终极解决方案

AI大模型对数据传输带宽的需求是海量的。而CPO技术将光学模块与AI芯片封装在一起，能够显著缩短电信号传输距离，降低功耗，是未来实现AI集群内部高速光互连的重要技术路径。

目前，英特尔、思科和博通等公司正积极研发CPO技术，以解决数据中心对带宽和功耗的挑战。市场正在密切关注CPO技术的标准化进程和成本下降曲线。一旦实现规模化生产和成本可控，CPO技术将引发数据中心架构的颠覆性变革，成为AI时代高速互联的基石。